碳化硅（SiC）是由硅和碳組成的陶瓷，人造的碳化硅作為研磨料，商品名為金剛砂，也可作為半導體材料和碳硅寶石。常見類型是α-碳化硅，其合成溫度超過2000°C，結構呈六方晶系。另一種β-碳化硅呈面心立方結構，制備溫度通常低于2000°C，但商業價值不高。碳化硅的比重為3.2g/cm3，熔點溫度高達2700°C，呈化學惰性，熱膨脹系數很低，并且不會發生相轉變，非常適合用作高溫軸套和爐體材料。

測試條件：

溫度范圍：1000 … 2200°C

樣品長度：18.66mm

校正標樣：Poco石墨

升溫速率：5K/min

氣氛：He  

結果討論：

上圖是碳化硅生坯（主要是由SiC粉末和燒結助劑混合而成）在1000°C到2200°C下熱膨脹測試曲線，呈兩步燒結步驟。步燒結收縮速率在1313°C達到大，這是因為燒結助劑的減少。第二步收縮速率在1817°C達到大，這是由于坯體的收縮/致密化造成的。該例說明使用DIL 402測量超過2000°C的陶瓷燒結過程是*沒有問題。